삼성이 개발한 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의를 받고 있는 삼성전자 임원 출신 최모씨가 구속됐다.

8일 서울경찰청 산업기술안보수사대에 따르면 최씨는 산업기술법 위반과 부정경쟁방지 및 영업비밀보호법 위반 혐의로 지난 5일 구속됐다. 서울중앙지법은 “도망 염려가 있다”며 구속영장을 발부했다.

최씨는 삼성전자가 2014년 개발한 20나노미터(㎚) D램 기술 공정도 700여개를 중국 기업인 청두가오전에 무단 유출한 혐의를 받고 있다. 최씨는 중국 청두시 투자를 받아 지난 2021년 청두가오전을 설립한 것으로 알려졌다.

청두가오전 임원을 지낸 것으로 전해진 오모씨도 최씨와 함께 구속됐다. 오씨는 삼성전자 수석연구원 출신이다.

경찰은 최씨와 오씨를 구속 수사해 반도체 공정도 유출 경위와 정확한 피해 범위, 이들의 경제적 이익 여부 등을 수사할 예정이다.

이호길 기자 [email protected]